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电子元器件详细资料 » IC[27070] » SI2308BDS-T1-GE3
型号:SI2308BDS-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C156 毫欧 @ 1.9A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs6.8nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds190pF @ 30V
功率_最大1.66W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装Digi-Reel®

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市俊晖半导体有限公司李先生【原装正品,可开发票】13410941925
深圳市鹏顺兴科技有限公司谭小姐0755-23063133/83238712
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SI2308BDS-T1-GE3相关型号

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